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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种功率半导体器件，结合了MOSFET（场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点，广泛应用于高效的开关和功率控制应用中。它在半导体分立器件中占据重要位置，主要用于高功率和高电压场合，比如电机驱动、电力转换、可再生能源发电和电动汽车等领域。

IGBT 的工作原理：

• MOSFET部分：IGBT 的输入端（栅极）由MOSFET控制，因此具有高输入阻抗，易于驱动，并且能够通过较小的栅极电流来控制大电流的开关。
• BJT部分：IGBT 的输出部分类似于BJT，因此可以在导通时传递较大的电流，同时具有较低的导通损耗。

IGBT 的优点：

1. 高效率：由于其低导通损耗和高开关速度，IGBT 可以在高电压和高电流的场景下高效运行。
2. 易于控制：IGBT 具有MOSFET控制的特点，栅极驱动容易，输入阻抗高，且能通过较小的控制信号控制大功率。
3. 高电压处理能力：IGBT 能够处理较高的电压，因此非常适合用于高压应用。

IGBT 的应用：

• 电机驱动：IGBT 常用于变频器、电动机控制中，以实现高效的电机速度控制。
• 电源转换：在逆变器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）等电源管理设备中，IGBT 是关键组件。
• 电动汽车：在电动汽车的电力电子系统中，IGBT 是核心器件之一，用于电池管理和电机控制。
• 可再生能源：在太阳能发电、风能发电系统中，IGBT 用于逆变器以将直流电转换为交流电并输送到电网。

由于 IGBT 结合了MOSFET的高速特性和BJT的高功率承受能力，它成为了现代功率电子系统中不可或缺的组成部分。

IGBT是半导体分立器件重要的组成部分，目前全球有70％IGBT模块市场被日系企业控制，德系的英飞凌在独立式IGBT功率晶体领域拥有24．7％的全球最高市占率。中国本土的IGBT厂商目前做得最出色的是中车时代、嘉兴斯达以及比亚迪等。